Kabar menggemparkan datang dari Shanghai, Tiongkok, di mana para peneliti dari Universitas Fudan berhasil mencetak tonggak sejarah baru dalam dunia teknologi semikonduktor. Mereka menciptakan sebuah perangkat memori kilat inovatif yang dinamai “PoX,” dengan kecepatan akses yang mencengangkan, mencapai 400 pikodetik atau setara dengan kemampuan beroperasi 25 miliar kali per detik. Rincian penemuan revolusioner ini dipublikasikan dalam jurnal ilmiah bergengsi, Nature.
Menurut Zhou Peng, ilmuwan terkemuka dalam proyek ini, kecepatan perangkat tersebut akan menetapkan standar baru yang jauh melampaui kinerja memori kilat USB konvensional. Sebagai perbandingan, USB flash drive biasa beroperasi sekitar 1.000 kali dalam sekejap mata, sementara PoX mampu melakukannya hingga miliaran kali.
Untuk memahami signifikansi pencapaian teknis ini, penting untuk mengetahui perbedaan antara jenis-jenis memori yang ada saat ini. Memori non-volatil tradisional, seperti flash memory mampu menyimpan data tanpa memerlukan daya, namun memiliki kecepatan akses yang lebih lambat dibandingkan dengan memori volatil seperti SRAM dan DRAM. Meskipun SRAM dan DRAM unggul dalam kecepatan, keduanya kehilangan data saat aliran listrik terputus, sehingga kurang ideal untuk aplikasi yang membutuhkan kecepatan dan keandalan. Tim dari Fudan mengatasi keterbatasan ini dengan mengembangkan mekanisme unik yang memanfaatkan struktur pita Dirac dua dimensi dan sifat transport balistik. Pendekatan ini memungkinkan “super-injeksi” muatan kanal ke dalam lapisan penyimpanan memori yang mendorong kecepatan memori non-volatil hingga batas teoretisnya.
Implikasi dari inovasi ini sangat mendalam. Kemampuan komputasi ultra-cepat yang dimiliki PoX menjadikannya solusi ideal untuk mengelola model-model kecerdasan buatan (AI) skala besar yang menuntut daya pemrosesan dan efisiensi yang belum pernah ada sebelumnya. Lebih lanjut, skalabilitas dan efektivitas biaya teknologi memori kilat berpotensi mendorong peningkatan industri dan merevolusi lanskap penyimpanan data global. Kemajuan ini juga sejalan dengan tujuan strategis untuk memposisikan Tiongkok sebagai pemimpin dalam teknologi semikonduktor mutakhir.
Meskipun kemajuan dalam memori kilat secara historis cenderung lambat dalam memengaruhi produk konsumen, hadirnya PoX membuka peluang aplikasi yang luas, tidak hanya dalam kecerdasan buatan tetapi juga dalam analisis data waktu nyata, sistem otonom, dan perangkat komputasi generasi mendatang. Seiring dengan meningkatnya permintaan global akan solusi penyimpanan berkecepatan tinggi dan berdaya rendah, inovasi seperti PoX dapat menjadi landasan bagi era baru dalam teknologi penyimpanan dan pemrosesan data.
